Датчик (Преобразователь) избыточного давления Метран/Emerson М 43-ДИ 3141-01 400кПа

"сухая" без заполняющей жидкости конструкция повышенная точность и надежность измерений многовариантность конструкций приемников давления обеспечивает применимость в различных техпроцессах исполнение: общепромышленное цифровая индикация ВПИ 0,5...400 кПа микропроцессорный тип исполнения с выходным сигналом 4 – 20 мА .для широкого применения во всех отраслях промышленности Принцип действия датчиков основан на тензорезистивном эффекте. Чувствительным элементом датчика является тензорезистивный преобразователь. Датчики различных типов состоят из измерительных блоков (различных конструктивных исполнений) и унифицированного электронного преобразователя. Измеряемый параметр воздействует на мембрану измерительного блока. Деформация мембраны передается на тензопреобразователь, деформируя пластину из монокристаллического сапфира с кремниевыми пленочными тензорезисторами, изменяя при этом их электрическое сопротивление. Датчик (Преобразователь) избыточного давления Метран/Emerson М 43-ДИ 3141-01 400кПа : 0 компл. Возможен торг и безнал. Состояние уточняйте. Цена за комплект. Модель 43-ДИ, 3141-01

"сухая" без заполняющей жидкости конструкция повышенная точность и надежность измерений многовариантность конструкций приемников давления обеспечивает применимость в различных техпроцессах исполнение: общепромышленное цифровая индикация ВПИ 0,5...400 кПа микропроцессорный тип исполнения с выходным сигналом 4 – 20 мА .для широкого применения во всех отраслях промышленности Принцип действия датчиков основан на тензорезистивном эффекте. Чувствительным элементом датчика является тензорезистивный преобразователь. Датчики различных типов состоят из измерительных блоков (различных конструктивных исполнений) и унифицированного электронного преобразователя. Измеряемый параметр воздействует на мембрану измерительного блока. Деформация мембраны передается на тензопреобразователь, деформируя пластину из монокристаллического сапфира с кремниевыми пленочными тензорезисторами, изменяя при этом их электрическое сопротивление.